Hallo Heinz (Gleichstrom),
hatte und habe nur sehr wenig mit Fets am Hut und war darum der Meinung bei einer Parallelschaltung nur an jedem Gate einen Widerstand einzubauen, wie man sich doch irren kann!
Auf welche Kriterien ist also bei einer Powermosfet Parallelschaltung zu achten, schätze hierbei hast du wohl selbst einige Erfahrungen gemacht. Tipps sind immer willkommen!
Nach einer kleine WWW. Suche diesen Link gefunden:
http://www.mikrocontroller.net/topic/73546
Zitat: "direkt parallel schalten ist nicht gut, mal ein erfahrungsbericht von
mir: 2 IRF540 parallel, gleiche gatespannung, source und drain verbunden.
gesamtstrom ~15 ampere gemessen, nichts böses bei gedacht, bis es
irgendwann nicht mehr lief und begann, komisch zu riechen => ein fet war
durch. mit einem anderen habe ich dann mal genauer gemessen und kam auf
eine stromverteilung von ungefähr 3/12 ampere. mit je einem shunt in
reihe zum fet (0,2 ohm, oder so) lief das ganze dann mit quasi 50/50"
Zitat: "Meine Praxiserfahrung:
Nun, die Praxis sagt für den MOSFET-Fall b.) als Antwort.
Und außerdem Source-Widerstände, insbesondere bei Impuls-Belastung."
Gruß Harald