Zunächst mal @ FamZim:
".....Schaltung mit Mos Fet aufgebaut.
Die schaltete zwar durch, aber wie ein Transistor mit 0,7 V Spannungsverlust.
Mit einer anderen Spannungsquelle und umgepolter Stomrichtung schaltete er dann mit 0 V Spannungsverlust durch."
Hier das Schaltzeichzen von einem N-FET:
Intern ist bauartbedingt eine Diode. Wenn die in Durchgang betrieben wird, fällt die übliche Flussspannung einer SI-Diode ab.
Erst wenn am Gate ausreichend Spannung angelegt wird, also mindestens 4 V (besser mehr), wird die aktive FET-Strecke auch in der "umgekehrten Richtung" leitend, und die Flussspannung sinkt auf sehr geringe Werte.
Wird bei sog. Aktivgleichrichtern ausgenutzt.
@ Pau Te:
Momentan führt reichelt und auch Conrad wohl nur noch ein DIAC. Auch noch das selbe, aber bei conrad ist das Datenblatt besser. Das weist für 10 mA eine Schalthysterese von lediglich 10V aus. Auch wenn da noch 4 KOhm in Reihe sind, an denen was abfällt, 10V erscheint mir hier bischen wenig.
Besteht nämlich die Gefahr, dass durch Zuschalten der Ersatzlasten sofort das FET wieder zu macht.
Dann hat Man Relaisflattern.
Abhilfe könnten vielleicht mehrere DIACs in Reihe bringen.
Auch eine Diode in der Zuleitung Ub, die verhindert, dass sich der ELKO rückentläd.
Wenn Stromfluss nur 10 mA, müsste ne brauchbare Zeitkonstate möglich werden.
Wenn ein FET selbst 30A aushält, wäre zu überlegen, ob es nicht die Ersatzlast selber schalten kann.
Das, nachdem es ab und an sehr preiswerte Gleichrichter gibt mit z.B. 68A (auf Kühlkörper!)
Und wenn 1 FET nicht genügt, dann eben 2 parallel. Mit ca. 50 Ohm vor jedem Gate, sonst Schwingneigung.
Worüber aber unbedingt nochmal nachgedacht werden muss:
Die Lasten, ob Relai oder Heizwiderstand, gehören in die Drain-Leitung!
Sonst wäre das nämlich vergleichbar einer Collektor-Schaltung.
".....Schaltung mit Mos Fet aufgebaut.
Die schaltete zwar durch, aber wie ein Transistor mit 0,7 V Spannungsverlust.
Mit einer anderen Spannungsquelle und umgepolter Stomrichtung schaltete er dann mit 0 V Spannungsverlust durch."
Hier das Schaltzeichzen von einem N-FET:
Intern ist bauartbedingt eine Diode. Wenn die in Durchgang betrieben wird, fällt die übliche Flussspannung einer SI-Diode ab.
Erst wenn am Gate ausreichend Spannung angelegt wird, also mindestens 4 V (besser mehr), wird die aktive FET-Strecke auch in der "umgekehrten Richtung" leitend, und die Flussspannung sinkt auf sehr geringe Werte.
Wird bei sog. Aktivgleichrichtern ausgenutzt.
@ Pau Te:
Momentan führt reichelt und auch Conrad wohl nur noch ein DIAC. Auch noch das selbe, aber bei conrad ist das Datenblatt besser. Das weist für 10 mA eine Schalthysterese von lediglich 10V aus. Auch wenn da noch 4 KOhm in Reihe sind, an denen was abfällt, 10V erscheint mir hier bischen wenig.
Besteht nämlich die Gefahr, dass durch Zuschalten der Ersatzlasten sofort das FET wieder zu macht.
Dann hat Man Relaisflattern.
Abhilfe könnten vielleicht mehrere DIACs in Reihe bringen.
Auch eine Diode in der Zuleitung Ub, die verhindert, dass sich der ELKO rückentläd.
Wenn Stromfluss nur 10 mA, müsste ne brauchbare Zeitkonstate möglich werden.
Wenn ein FET selbst 30A aushält, wäre zu überlegen, ob es nicht die Ersatzlast selber schalten kann.
Das, nachdem es ab und an sehr preiswerte Gleichrichter gibt mit z.B. 68A (auf Kühlkörper!)
Und wenn 1 FET nicht genügt, dann eben 2 parallel. Mit ca. 50 Ohm vor jedem Gate, sonst Schwingneigung.
Worüber aber unbedingt nochmal nachgedacht werden muss:
Die Lasten, ob Relai oder Heizwiderstand, gehören in die Drain-Leitung!
Sonst wäre das nämlich vergleichbar einer Collektor-Schaltung.